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20nm英特尔NAND闪存将在今年发布组图

发布时间:2020-06-29 20:58:50 阅读: 来源:滤料厂家

在英特尔公司520系列SSD的发布会上我们得到了下一代英特尔闪存技术更新的消息,公司目前已经和另一个内存巨头美光合资建立了闪存生产企业,今年开始将大规模生产20纳米工艺的NAND芯片,这意味着密度最大的单颗128GB容量在组成SSD后将可以突破1TB的容量。

目前尚不清楚英特尔是否将自己开发控制器技术,之前他们都是采用来自第三方的技术,但这推高了成本降低了竞争力,如果能自主生产控制器,那么英特尔的产能和技术都会让其在SSD市场占得优势。

另外,英特尔今天更新了原有的510系列SSD产品线,将最新型号升级到520,它同样是SATA3接口的设备,容量包括60GB, 120GB, 180GB, 240GB和480GB,这也是英特尔首次使用Sandforce的控制器方案,SF为设备带来了极大的性能提升。

520 SSD内置25nm的NAND闪存,可实现550和520MB/s的读写,随机读写IOPS高达80000和50000。

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